| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | [课题]提供ESD耐量高之半导体装置。[解决手段]第一通孔(16)系用以从垫片(22)电性连接至ESD保护电路之NMOS电晶体之汲极。该第一通孔(16)系在垫片(22)之下方,仅设置在为矩形环形状之中间层金属膜(17)之一边,和与其一边相向之另一边。即是,用以对汲极电性连接的所有第一通孔(16)存在于垫片(22)之略正下方。依此,被施加至垫片(22)之ESD之突波电流容易均匀地朝向所有的汲极。如此一来,ESD保护电路之NMOS电晶体之各通道容易均匀地动作,并且半导体装置之ESD耐量变高。 | ||
| 申请公布号 | TW201436170 | 申请公布日期 | 2014.09.16 |
| 申请号 | TW102137712 | 申请日期 | 2013.10.18 |
| 申请人 | 精工电子有限公司 | 发明人 | 小山威;广濑嘉胤 |
| 分类号 | H01L27/04(2006.01);H01L29/78(2006.01);H01L23/60(2006.01) | 主分类号 | H01L27/04(2006.01) |
| 代理机构 | 代理人 | <name>林志刚</name> | |
| 主权项 | |||
| 地址 | SEIKO INSTRUMENTS INC. 日本 | ||