| 发明名称 |
半导体装置及其制造方法;SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURE THE SAME |
| 摘要 |
一种半导体装置之制造方法包括:形成介电材料层于半导体基底上;图案化介电材料层以形成多个介层窗于其中;形成第一金属层于介电材料层上,其中第一金属层填入多个介层窗;平坦化第一金属层使其顶面与介电材料之顶面共平面,并形成多个第一金属元件;及形成不连续的停止层于各个第一金属元件的顶部上,停止层覆盖且实质上对齐各个第一金属元件,且实质上不延伸至多个第一金属元件之间的介电材料层上。 |
| 申请公布号 |
TW201436002 |
申请公布日期 |
2014.09.16 |
| 申请号 |
TW102147881 |
申请日期 |
2013.12.24 |
| 申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
彭兆贤;黄琮闵;李香寰;眭晓林 |
| 分类号 |
H01L21/28(2006.01);H01L21/768(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/28(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
<name>洪澄文</name><name>颜锦顺</name> |
| 主权项 |
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| 地址 |
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD. 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 |
