生物场效电晶体及其制造方法与生物晶片;BIOFET WITH INCREASED SENSING AREA

摘要

本揭露提供一种生物场效电晶体装置及其制造方法。此形成生物场效电晶体的方法包含一个或多个典型或与互补式金属氧化物半导体(complementary metal-oxide-semiconductor；CMOS)制程相容之步骤。此生物场效电晶体装置包括：一基底；一电晶体结构；一隔离层；一界面层，位于保护层上的开口中；以及一金属皇冠结构，位于界面层之上。界面层及金属皇冠结构是设置在电晶体闸极结构的相反侧。