至少含有铟及镓之氧化物的蚀刻液及蚀刻方法;ETCHANT AND ETCHING PROCESS FOR OXIDES CONTAINING AT LEAST INDIUM AND GALLIUM

摘要

本发明系关于在含有铟与镓及氧、或含有铟与镓与锌及氧而构成之氧化物等至少含有铟及镓之氧化物之蚀刻可理想地使用的蚀刻液及蚀刻方法。依本发明之理想态样，藉由使用含有硫酸或其盐、及羧酸(但排除草酸)或其盐之蚀刻液，于至少含有铟及镓之氧化物之蚀刻具有理想的蚀刻速率且残渣除去性亦良好，对于配线材料之腐蚀性亦小，而且即使溶于蚀刻液中之氧化物之浓度为高浓度，也不会发生析出物，且能维持良好的蚀刻速率。