堆叠式半导体结构及成型堆叠式半导体结构之方法;STACKED SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF FORMING A STACKED SEMICONDUCTOR STRUCTURE

摘要

一种堆叠式半导体结构,包括一第一底材、一多层式内连线、复数个金属区段、复数个第一结合特征、一第二底材、一凹洞、一可移动结构及复数个第二结合特征。第一底材具有一电晶体。多层式内连线设置于电晶体上,并且电性连接于电晶体。金属区段设置于多层式内连线上。第一结合特征位于金属区段上。第二底材具有一前表面。凹洞从前表面延伸至第二底材中之一深度之中。可移动结构设置于第二底材之前表面上,并且悬浮于凹洞上。可移动结构具有一介电薄膜、复数个金属单元及一盖介电层。第二结合特征位于盖介电层上,并且电性连接于金属单元。