形成无凹陷连线结构的方法;METHOD FOR FORMING RECESS-FREE INTERCONNECT STRUCTURE

摘要

形成一连线结构的方法,包括形成一介电材料层于一半导体基底上。一富氧层形成于介电材料层上。图案化介电材料层及富氧层,以形成多个接触窗在半导体基底中。一阻障层形成于接触窗中及介电材料层上,并使得富氧层的一部份暴露出来。一金属层形成于阻障层上,及富氧层之暴露部分上,其中金属层填入接触窗中。半导体基底在一预定温度范围及一预定压力下退火,使得富氧层之暴露部分转化成一金属氧化物终止层。