半导体装置及其制造方法;SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHOD OF MANUFACTURE THEREOF

摘要

本发明提供一种半导体装置,包括:一基底,具有N型鳍式场效电晶体区;闸极结构,形成于鳍结构上,其中鳍结构具有含结晶矽之材料;通道区,设于鳍结构中,其中通道区被闸极结构环绕;掺杂源极区或汲极区,其中掺杂源极区或汲极区藉由间隔结构与通道区分离;及轻掺杂汲极区,设于源极区或汲极区与通道区之间,其中轻掺杂汲极区位于间隔结构之下,其中掺杂源极区或汲极区的N型掺质的平均掺杂浓度显着地高于轻掺杂汲极区的N型掺质的平均掺杂浓度。本发明亦提供此半导体装置之制造方法。