饱和电压估计方法及矽磊晶晶圆制造方法;SATURATION VOLTAGE ESTIMATION METHOD AND SILICON EPITAXIAL WAFER MANUFACTURING METHOD

摘要

提供一种有利于以高产量从矽磊晶晶圆形成半导体装置的技术,其中磊晶层的碳浓度为5x1014原子/立方公分或更低。 矽磊晶晶圆的磊晶层中包含的碳成为发光活化的,该活化的碳被激发而造成发光,以及得到源自碳的发光强度或强度比例。预先检查此强度或强度比例与收集器-发射器饱和电压之间的关系。从矽磊晶晶圆制造批获取晶圆的一部分或多个部分,并且得到每一个获取的晶圆之发光强度或强度比例。藉由比较此强度或强度比例与上述关系来确定该制造批的品质。