发明名称 |
用于修复电阻式记忆体单元的装置和方法;APPARATUS AND METHOD FOR REFORMING RESISTIVE MEMORY CELLS |
摘要 |
一种记忆体,包括记忆体单元阵列、第一模组和第二模组。第一模组被配置为将记忆体单元的第一状态与基准进行比较。记忆体单元处于记忆体单元阵列中。第二模组被配置为在记忆体单元的读取周期或者写入周期之后并且基于比较,重新形成记忆体单元以调节记忆体单元的第一状态与第二状态之间的差値。 |
申请公布号 |
TW201435874 |
申请公布日期 |
2014.09.16 |
申请号 |
TW102138479 |
申请日期 |
2013.10.24 |
申请人 |
马维尔国际贸易有限公司 |
发明人 |
苏塔亚 潘塔司;吴 艾伯特;李 温士顿;李 彼得;常润滋 |
分类号 |
G11C13/00(2006.01);G11C29/44(2006.01) |
主分类号 |
G11C13/00(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
<name>李贞仪</name> |
主权项 |
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地址 |
MARVELL WORLD TRADE LTD. 巴贝多 |