发明名称 |
具有偏移单元之垂直自旋转移力矩记忆体(STTM)装置及其形成方法;PERPENDICULAR SPIN TRANSFER TORQUE MEMORY (STTM) DEVICE HAVING OFFSET CELLS AND METHOD TO FORM SAME |
摘要 |
描述具有偏移单元之垂直自旋转移力矩记忆体(STTM)装置及制造具有偏移单元之垂直STTM装置的方法。例如,自旋转移力矩记忆体(STTM)阵列包括一配置于基底上并且仅具有第一STTM装置之第一负载线。该STTM阵列亦包括一配置于该基底上(邻接该第一负载线)并且仅具有第二STTM装置之第二负载线,该第二STTM装置与该第一STTM装置为非共面。 |
申请公布号 |
TW201435868 |
申请公布日期 |
2014.09.16 |
申请号 |
TW102141884 |
申请日期 |
2013.11.18 |
申请人 |
英特尔股份有限公司 |
发明人 |
道尔 布莱恩;肯克 大卫;郭 查尔斯;沙 乌戴;欧固兹 肯恩;达克西 马克;苏利 沙亚斯;韦伯 克莱尔 |
分类号 |
G11C11/16(2006.01);H01L27/115(2006.01);H01L21/8247(2006.01) |
主分类号 |
G11C11/16(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
<name>林志刚</name> |
主权项 |
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地址 |
INTEL CORPORATION 美国 |