发明名称 具有偏移单元之垂直自旋转移力矩记忆体(STTM)装置及其形成方法;PERPENDICULAR SPIN TRANSFER TORQUE MEMORY (STTM) DEVICE HAVING OFFSET CELLS AND METHOD TO FORM SAME
摘要 描述具有偏移单元之垂直自旋转移力矩记忆体(STTM)装置及制造具有偏移单元之垂直STTM装置的方法。例如,自旋转移力矩记忆体(STTM)阵列包括一配置于基底上并且仅具有第一STTM装置之第一负载线。该STTM阵列亦包括一配置于该基底上(邻接该第一负载线)并且仅具有第二STTM装置之第二负载线,该第二STTM装置与该第一STTM装置为非共面。
申请公布号 TW201435868 申请公布日期 2014.09.16
申请号 TW102141884 申请日期 2013.11.18
申请人 英特尔股份有限公司 发明人 道尔 布莱恩;肯克 大卫;郭 查尔斯;沙 乌戴;欧固兹 肯恩;达克西 马克;苏利 沙亚斯;韦伯 克莱尔
分类号 G11C11/16(2006.01);H01L27/115(2006.01);H01L21/8247(2006.01) 主分类号 G11C11/16(2006.01)
代理机构 代理人 <name>林志刚</name>
主权项
地址 INTEL CORPORATION 美国