相变化记忆体及半导体记录再生装置;PHASE-CHANGE MEMORY AND SEMICONDUCTOR RECORDING/REPRODUCING DEVICE

摘要

本发明之课题系提供一种超晶格相变记忆体及半导体记录再生装置,其可谋求低消耗功率化。本发明之解决技术手段系藉由将SnXTe100-X膜及Sb2Te3膜予以积层形成而得到SnXTe100-X/Sb2Te3超晶格膜,其构成为包含:由SnTe及Sb2Te3所构成之SnTe/Sb2Te3超晶格相;SnSbTe合金相;及Te相,且SnTe/Sb2Te3超晶格相系作成被SnSbTe合金相及Te相所稀释来构成。此时,SnXTe100-X膜之X为4原子%≦X≦55原子%。