| 摘要 |
本发明之材料系由一单件半导体材料所制造。该半导体材料可为一n型半导体。经制造之此材料系包含一具有结晶结构之一顶层、其转型为一过渡层(transition layer)、其转型为一中间层(intermediate layer)及接着至该大基板(bulk substrate)层。该结晶结构之该结晶状细孔之方位排列成行于该材料层内。过渡层或中间层包含一实质等同于本质(intrinsic)半导体的一材料。此外,一种自单件半导体材料制造一材料之一方法系藉由暴露一顶面至一能量源直到该顶面变质(transformation)发生,此时该材料之该大基板的材质保持不变。该材料可具有光电伏打特性。 |
