半导体装置及其制造方法;SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

摘要

在一种制造半导体装置的方法中,系在一基体之一晶胞区域上形成一分离闸极结构,该基体包括该晶胞区域和一逻辑区域。该逻辑区域具有一高压区域、一超高压区域和一低压区域,并且该分离闸极结构包括一第一闸极绝缘层图案、一浮动闸极、一穿隧绝缘层图案和一控制闸极。在该分离闸极结构和该基体上一间隔层形成。该间隔层受到蚀刻以在该分离闸极结构之一侧壁上形成一间隔器,并在该基体之该超高压区域上形成一第二闸极绝缘层图案。系在该基体之该高压区域、该第二闸极绝缘层图案、及该基体之该低压区域中之各者上形成一闸电极。