发明名称 用以形成具有在基板中不同深度的接触着陆区的装置的方法,和使用其所制造出的3-D结构;METHOD FOR FORMING A DEVICE HAVING CONTACT LANDING AREAS AT VARYING DEPTHS IN A SUBSTRATE, AND 3-D STRUCTURE MANUFACTURED BY THE SAME
摘要 一种3-D结构包括在不同深度之主动层的一堆叠,此堆叠具有多个接触着陆区于一接触区开口内个别的主动层上。多个层间导体各包括于接触区开口内延伸至一接触着陆区的一第一部分,和在高于最上方之主动层处部分地落在接触区开口外的一第二部分。第一部分具有名义上相等于接触区开口之横向尺寸的一横向尺寸Y1,第二部分具有大于接触区开口之横向尺寸的一横向尺寸Y2。主动层可为一3-D记忆体装置的位元线或字元线、或积体电路中的其他主动层。
申请公布号 TW201436100 申请公布日期 2014.09.16
申请号 TW102123745 申请日期 2013.07.03
申请人 旺宏电子股份有限公司 发明人 陈士弘
分类号 H01L21/768(2006.01);H01L27/115(2006.01) 主分类号 H01L21/768(2006.01)
代理机构 代理人 <name>祁明辉</name><name>林素华</name>
主权项
地址 MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD. 新竹县科学工业园区力行路16号