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Die Ausführungsformen hierin betreffen Verfahren und Vorrichtungen zum Galvanisiereneines oder mehrerer Materialien auf ein Substrat. In vielen Fällen ist das Material ein Metallund das Substrat ist ein Halbleiter-Wafer aber die Ausführungsformen sind nicht derarteingeschränkt. In der Regel nutzen die Ausführungsformen hierin eine perforierte Platte inder Nähe des Substrats, einen Querstrom-Sammelkanal nach unten definiert durch dieperforierte Platte, auf der Oberseite durch das Substrat definiert und auf den Seiten von einemQuerstrom-Begrenzungsring. Während des Galvanisierens tritt Fluid in den Querstrom-Sammelkanal ein, sowohl nach oben durch die in der perforierten Platte befindlichen Kanäleals auch lateral durch einen seitlichen Querstrom-Einlass der an einer Seite des Querstrom-Begrenzungsrings positioniert ist. Die Strömungspfade kombinieren sich in dem Querstrom-Sammelkanal und treten am Querstrom-Auslass aus, der gegenüber dem Querstrom-Einlasspositioniert ist. Durch diese Kombination von Strömungspfaden wird eine verbesserteGleichmäßigkeit beim Galvanisieren erreicht. |
