碳化矽单晶之制造装置及碳化矽单晶之制造方法

摘要

提供一种容易在碳化矽种晶附近供给碳之碳化矽单晶制造装置。在将利用诱导加热装置使电磁波往坩锅侧壁浸透之深度设为D1(mm)、将电磁波往碳化矽溶液浸透之深度设为D2(mm)、将坩锅侧壁之厚度设为T(mm)、将坩锅之内半径设为R(mm)时，控制装置，系以在诱导加热装置流动之交流电流的频率f满足数式(1)之方式控制诱导加热装置。;(D1-T)×D2/R>1 (1);在此，D1系由数式(2)定义而来，D2则由数式(3)定义。;D1=503292×(1/(f×σc×μc))1/2 (2);D2=503292×(1/(f×σs×μs))1/2 (3);在此，σc系侧壁之导电率(S/m)，σs为碳化矽溶液之导电率(S/m)。μc系侧壁之比透磁率(无次元量)，μs为碳化矽溶液之比透磁率(无次元量)。

主权项

一种碳化矽单晶之制造装置，其特征系具备：具备筒状侧壁、与被配置在前述侧壁下端之底壁，可以收纳碳化矽溶液之坩锅，收纳前述坩锅之收容室(chamber)，延伸于收容室之上下方向、具有被安装碳化矽种晶之下端面、将被安装在前述下端面之碳化矽种晶浸渍于前述碳化矽溶液之种晶轴，被配置在前述收容室内、前述坩锅的侧壁周围之诱导加热装置，与控制前述诱导加热装置之控制装置；在将利用前述诱导加热装置使电磁波往前述侧壁浸透之深度设为D1(mm)、将利用前述诱导加热装置使电磁波往前述碳化矽溶液浸透之深度设为D2(mm)、将前述侧壁之厚度设为T(mm)、将前述坩锅之内半径设为R(mm)时，前述控制装置，以在前述诱导加热装置流动之交流电流的频率f(Hz)满足数式(1)之方式控制前述诱导加热装置；(D1-T)×D2/R>1 (1)在此，D1比T还大；D1系由数式(2)定义而来，D2则由数式(3)定义；D1=503292×(1/(f×σc×μc))1/2(2) D2=503292×(1/(f×σs×μs))1/2(3)在此，σc系前述侧壁之导电率(S/m)，σs为前述碳化矽溶液之导电率(S/m)；μc系前述侧壁之比透磁率(无次元量)，μs为前述碳化矽溶液之比透磁率(无次元量)。