发明名称 |
太阳电池的制造方法 |
摘要 |
一种太阳电池的制造方法,包括下列步骤:在半导体基板的其中一面上的部分区域赋予含有包含p型杂质的玻璃粉末以及分散介质的第一p型扩散层形成组成物;在半导体基板的被赋予第一p型扩散层形成组成物的面上且为至少上述部分区域以外的区域,赋予含有包含p型杂质的玻璃粉末以及分散介质的第二p型扩散层形成组成物,第二p型扩散层形成组成物较第一p型扩散层形成组成物而言,p型杂质浓度低;将被赋予第一p型扩散层形成组成物以及第二p型扩散层形成组成物的半导体基板进行热处理而形成p型扩散层;以及在上述部分区域上形成电极。 |
申请公布号 |
TWI452707 |
申请公布日期 |
2014.09.11 |
申请号 |
TW100141723 |
申请日期 |
2011.11.16 |
申请人 |
日立化成股份有限公司 日本 |
发明人 |
町井洋一;吉田诚人;野尻刚;冈庭香;岩室光则;足立修一郎;织田明博;佐藤铁也;木泽桂子 |
分类号 |
H01L31/042;H01L31/072 |
主分类号 |
H01L31/042 |
代理机构 |
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代理人 |
詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;叶璟宗 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1 |
主权项 |
一种太阳电池的制造方法,包括:在半导体基板的其中一面上的部分区域赋予第一p型扩散层形成组成物的步骤,上述第一p型扩散层形成组成物含有包含p型杂质的玻璃粉末以及分散介质;在上述半导体基板的被赋予上述第一p型扩散层形成组成物的上述面上且为至少上述部分区域以外的区域,赋予第二p型扩散层形成组成物的步骤,上述第二p型扩散层形成组成物含有包含上述p型杂质的上述玻璃粉末以及上述分散介质,且较上述第一p型扩散层形成组成物而言,p型杂质浓度低;将被赋予上述第一p型扩散层形成组成物以及上述第二p型扩散层形成组成物的上述半导体基板进行热处理而形成p型扩散层的步骤;以及在上述部分区域上形成电极的步骤。 |
地址 |
日本 |