| 发明名称 |
切割晶粒黏合膜、半导体晶圆及半导体装置 |
| 摘要 |
本发明公开了一种包括黏合层和与所述黏合层邻接的压敏黏结剂层的切割晶粒(die)黏合膜、半导体晶圆(wafer)和半导体装置，其中所述压敏黏结剂层在25℃下具有400至600kPa的储能模量和根据KS-A-01107标准测定的相对于所述黏合层的200至350mN/25mm的剥离强度。所述切割晶粒黏合膜不需要UV程序，且在切割程序中具有优异的加工性。 |
| 申请公布号 |
TWI452107 |
申请公布日期 |
2014.09.11 |
| 申请号 |
TW100140908 |
申请日期 |
2011.11.09 |
| 申请人 |
第一毛织股份有限公司 南韩 |
发明人 |
黄珉珪;金志浩;宋基态 |
| 分类号 |
C09J7/02;C09J133/08;H01L21/304;H01L21/50 |
主分类号 |
C09J7/02 |
| 代理机构 |
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代理人 |
恽轶群 台北市松山区南京东路3段248号7楼;陈文郎 台北市松山区南京东路3段248号7楼 |
| 主权项 |
一种切割晶粒黏合膜，其包括：黏合层；和与所述黏合层邻接的压敏黏结剂层，所述压敏黏结剂层在25℃下具有400kPa至600kPa的储能模量和根据KS-A-01107标准测定的相对于所述黏合层的200至350mN/25mm的剥离强度，其中所述压敏黏结剂层包括黏合剂树脂和热固化剂，以及其中所述黏合剂树脂为(甲基)丙烯酸烷基酯、含羟基的(甲基)丙烯酸酯和含环氧基的(甲基)丙烯酸酯的共聚物。 |
| 地址 |
南韩 |
