发明名称 |
Nanodrahtstrukturen mit Rundumkontakten |
摘要 |
<p>Nanodrahtstrukturen mit Rundumkontakten werden beschrieben. Beispielsweise schließt ein Nanodraht-Halbleiterbauelement einen über einem Substrat angeordneten Nanodraht ein. Ein Kanal-Gebiet wird im Nanodraht angeordnet. Das Kanal-Gebiet hat eine Länge und einen Umfang orthogonal zur Länge. Ein Gateelektrodenpacket umgibt den gesamten Umfang des Kanal-Gebiets. Ein Paar aus Source- und Drain-Gebieten wird im Nanodraht auf beiden Seiten des Kanal-Gebiets angeordnet. Jedes der Source- und Drain-Gebiete hat einen Umfang, der orthogonal zur Länge des Kanal-Gebiets ist. Ein erster Kontakt umgibt den Umfang des Source-Gebiets komplett. Ein zweiter Kontakt umgibt den Umfang des Drain-Gebiets komplett.</p> |
申请公布号 |
DE112011106006(T5) |
申请公布日期 |
2014.09.11 |
申请号 |
DE201111106006T |
申请日期 |
2011.12.23 |
申请人 |
INTEL CORP. |
发明人 |
WEBER, CORY E.;KEYS, PATRICK H.;HAVERTY, MICHAEL G.;SHANKAR, SADASIVAN;CEA, STEPHEN M.;KIM, SEIYON |
分类号 |
H01L21/28;H01L21/336;H01L29/78 |
主分类号 |
H01L21/28 |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
|
地址 |
|