沟槽式功率半导体结构之制造方法

摘要

本发明提供一种沟槽式功率半导体结构之制造方法。所述方法包括下列步骤：提供基板并形成第一磊晶层于基板上；形成介电层于第一磊晶层上；形成遮蔽层于介电层上，并移除部分遮蔽层与介电层，以形成遮蔽结构与介电结构于第一磊晶层上，其中遮蔽结构堆叠于介电结构上；以选择性磊晶成长技术，形成第二磊晶层覆盖于裸露之第一磊晶层上，并环绕介电结构与遮蔽结构；移除遮蔽结构以形成沟槽于介电结构上方；形成闸极氧化层于沟槽之内侧表面，以及形成导电结构于沟槽内。上述第二磊晶层内具有以磊晶成长或是离子植入方式形成的本体区与源极区。

主权项

一种沟槽式功率半导体结构之制造方法，包括：提供一基板；形成一第一磊晶层于该基板上；形成一介电层于该第一磊晶层上；形成一遮蔽层于该介电层上；移除部分该遮蔽层与该介电层，以形成一遮蔽结构与一介电结构于该第一磊晶层上，且该遮蔽结构堆叠于该介电结构上；以选择性磊晶成长技术，形成一第二磊晶层覆盖于裸露之该第一磊晶层，并环绕该介电结构与该遮蔽结构；移除该遮蔽结构，以形成一沟槽于该介电结构上方；形成一闸极氧化层于该沟槽之内侧表面；以及形成一导电结构于该沟槽内；其中，该第二磊晶层内具有一本体区与一源极区。