半导体处理用之成膜装置

摘要

本发明关于一种半导体处理用之成膜装置，系使用第1反应气体及第2反应气体而于被处理体上形成薄膜，其包含有：真空容器、排气系统、用以载置被处理体的回转台、用以回转回转台的回转机构、以及用以将被处理体设定为可使第1反应气体凝结之温度的温度调整机构。于真空容器内，沿着回转台之回转方向依序设置有：使得第1反应气体之凝结物附着于被处理体上的第1反应气体供给部、使得凝结物的一部分气化的气化部、以及使得第2反应气体与凝结物相互反应的第2反应气体供给部。

主权项

一种半导体处理用之成膜装置，系使用第1及第2反应气体而于被处理体上形成薄膜，其具备有：真空容器；排气系统，系对该真空容器进行排气；回转台，系设置于该真空容器内，而用以载置该被处理体；回转机构，系用以回转该回转台；温度调整机构，系用以将该回转台上之该被处理体设定为可使该第1反应气体凝结之温度；第1反应气体供给部，系设置于该真空容器内，并用以将该第1反应气体供给至该回转台上的该被处理体以使得该第1反应气体之凝结物附着于该被处理体上；气化部，系设置于该真空容器内，并加热该回转台上之该被处理体以使得该凝结物的一部分气化；以及第2反应气体供给部，系设置于该真空容器内，并用以将活性化状态之该第2反应气体供给至该回转台上的该被处理体以使其与该凝结物相互反应而产生反应生成物；其中，沿着该回转台之回转方向依序设置有该第1反应气体供给部、该气化部、以及该第2反应气体供给部。