发明名称 |
铝-金刚石系复合体及其制造方法 |
摘要 |
提供兼具高导热率及接近半导体元件之热膨胀率,更适合当做半导体元件之散热座等使用,表面之电镀性及表面之面粗糙度获得改善之铝-金刚石系复合体。;提供一种铝-金刚石系复合体,系含有金刚石粒子及以铝为主要成分之金属之平板状铝-金刚石系复合体,上述铝-金刚石系复合体系由复合化部及配设于上述复合化部之两面之表面层所构成,上述表面层系由含有以铝为主要成分之金属的材料所构成,上述金刚石粒子之含有量为上述铝-金刚石系复合体全体之40体积%~70体积%。 |
申请公布号 |
TWI452143 |
申请公布日期 |
2014.09.11 |
申请号 |
TW098124028 |
申请日期 |
2009.07.16 |
申请人 |
电气化学工业股份有限公司 日本 |
发明人 |
广津留秀树;塚本秀雄 |
分类号 |
C22C21/00;C22C26/00;C22C1/10 |
主分类号 |
C22C21/00 |
代理机构 |
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代理人 |
何金涂 台北市大安区敦化南路2段77号8楼 |
主权项 |
一种铝-金刚石系复合体,系含有金刚石粒子及以铝为主要成分之金属的平板状铝-金刚石系复合体,其特征为:该铝-金刚石系复合体系由复合化部及配设于该复合化部两面之表面层所构成,该表面层系由含有以铝为主要成分之金属的材料所构成,其表面粗糙度(Ra)为1μm以下,该金刚石粒子之含有量系该铝-金刚石系复合体全体之40体积%~70体积%。 |
地址 |
日本 |