氧化物半导体装置及其制造方法

摘要

氧化物半导体TFT之电气特性强烈依存于通道膜厚乃知者，缓和通道膜厚之依存性之方法乃不存在，同时提供在大面积基板上制作特性变动小的半导体装置之之方法亦不存在。;特征为包含：在绝缘基板上形成闸极电极，针对该闸极电极以挟持闸极绝缘膜的方式形成以铟氧化物为主成份之膜厚5nm以上之第1半导体层，于该第1半导体层上形成不含In(铟)之以锌及锡氧化物为主成份之膜厚5～50nm之第2半导体层，于第2半导体层上形成源极电极及汲极电极之工程。如此则，藉由组合第1半导体层与第2半导体层之材料，可以减少半导体层膜厚之依存性，可以提供在大面积基板上之特性变动少的半导体装置。

主权项

一种场效电晶体，其特征为：具有：闸极电极；第1半导体层，相对于上述闸极电极介由闸极绝缘膜而设置；第2半导体层，连接于上述第1半导体层；源极电极，连接于上述第2半导体层；及汲极电极，连接于上述第2半导体层；上述第1半导体层，系具有In元素及O元素；上述第2半导体层，系具有Zn元素及O元素，但是，不具有In元素。