底切蚀刻矽波导结构及其制造方法

摘要

本发明提供一种以底切蚀刻方式于矽基板上制作矽光波导的方法，系藉由反应性离子蚀刻以非等向性方式，定义出波导核心形状，再利用电子回旋共振式离子反应蚀刻以等向性方式完成底切内缘蚀刻，以将光场分离于矽基板和波导，进而将光场局限于矽光波导之中。

主权项

一种底切蚀刻矽波导结构之制造方法，包含下列步骤：于一基板上形成一梁脊；及对该梁脊进行底切蚀刻，以便形成一底部；其中在进行底切蚀刻后，该梁脊包含一下梁脊及一上梁脊，而该下梁脊位于该梁脊之底部，且该上梁脊位于该梁脊之底部上。