发明名称 |
埋藏位元线及其制造方法 |
摘要 |
本发明提供一种埋藏位元线及其制造方法,上述埋藏位元线,设置于一基板的一沟槽中,包括一对彼此隔开的绝缘层,形成于上述沟槽的底面上,其中上述对绝缘层分别邻接上述沟槽的一第一侧壁和相对的一第二侧壁;一对彼此隔开的导电层,形成于上述沟槽中,且分别堆叠于上述对绝缘层上,其中上述对导电层分别邻接上述沟槽的上述第一侧壁和上述第二侧壁;一对扩散区,分别形成于邻接上述对导电层的部分上述基板中。 |
申请公布号 |
TWI452677 |
申请公布日期 |
2014.09.11 |
申请号 |
TW098145466 |
申请日期 |
2009.12.29 |
申请人 |
台湾创新记忆体股份有限公司 新竹市科学园区笃行一路8号 |
发明人 |
欧阳自明;蔡健华;潘建勋;黄振南 |
分类号 |
H01L27/108;H01L21/8242;H01L21/768 |
主分类号 |
H01L27/108 |
代理机构 |
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代理人 |
洪澄文 台北市南港区三重路19之6号2楼;颜锦顺 台北市南港区三重路19之6号2楼 |
主权项 |
一种埋藏位元线,设置于一基板的一沟槽中,包括:一对彼此隔开的绝缘层,形成于该沟槽的底面上,其中该对绝缘层分别邻接该沟槽的一第一侧壁和相对的一第二侧壁;一对彼此隔开的导电层,形成于该沟槽中,且分别堆叠于该对绝缘层上,其中该对导电层分别邻接该沟槽的该第一侧壁和该第二侧壁;一对扩散区,分别形成于邻接该对导电层的部分该基板中;以及一绝缘分隔层,位于该对导电层之间,并从该沟槽底部延伸至部分该基板中,其中该绝缘分隔层覆盖该对导电层的顶面。 |
地址 |
新竹市科学园区笃行一路8号 |