三族氮化物半导体发光元件之制造方法 METHOD OF MANUFACTURING GROUP-Ⅲ

摘要

本发明旨在提供一种三族氮化物半导体发光元件之制造方法，于制造在绝缘膜上具有反射膜之三族氮化物半导体发光元件时，可提升反射膜之耐热性。;其中制作在蓝宝石基板1上依序形成SiO2所构成之第1绝缘膜2、反射膜3之试样A，与在蓝宝石基板1上依序形成SiO2所构成之第1绝缘膜2、反射膜3、SiO2所构成之第2绝缘膜4之试样B，分别就试样A、B测定其热处理前、热处理后反射膜3在波长450nm下之反射系数。以600℃进行热处理3分钟期间。如图1，Al厚度为1~30　之Al/Ag/Al、Al厚度为20　之Ag/Al、Al厚度为20　之Al/Ag/Al/Ag/Al中，热处理后反射系数亦在95%以上，而与Ag同等或是在其以上。

主权项

一种三族氮化物半导体发光元件之制造方法，该三族氮化物半导体发光元件具有位在第1绝缘体上而接触该第1绝缘体之反射膜，该三族氮化物半导体发光元件之制造方法之特征在于：该三族氮化物半导体发光元件包含n型层、发光层、p型层、及用来使电流扩散至该p型层之扩散电极，在形成该反射膜前，形成分别接合于该n型层、该扩散电极之接触电极，该反射膜在形成由Ag所构成之第1层后，更在该第1层上形成由厚度1~30之Al所构成之第2层作为最上层，而呈至少2层构造，于形成该反射膜后，以300~700℃之温度进行热处理，该热处理系在形成该反射膜后于该反射膜上表面露出之状态进行，兼作为用来使该接触电极对该n型层及该扩散电极形成欧姆接触、与使该扩散电极对该p型层形成欧姆接触的热处理。