| 摘要 |
<p>Ein Verfahren zum Optimieren eines Abscheidungsprozess zur Erstellung einer elektrisch leitfähigen Schicht vorzugsweise mit einer Schichtdicke von weniger als 20 nm mittels einer elektronenstrahl- oder ionenstrahlinduzierten Depositionsanlage umfasst als Schritt 1, das Auswählen wenigstens eines zu optimierenden abscheidungsspezifischen Einstellparameters, wie eines Elektronen- oder Ionenstrahlparameters, der Depositionsanlage, wobei gegebenenfalls wenigstens ein weiterer Einstellparameter der Depositionsanlage konstant gehalten wird; als Schritt 2, das Bestimmen mehrerer Parameterwerte des wenigstens einen Einstellparameters zum Definieren einer Parameterwertpopulation erster Generation; als Schritt 3, das Abscheiden einer Schicht für jeden Parameterwert der Parameterwertpopulation erster Generation mittels der Depositionsanlage; als Schritt 4, das Ermitteln eines elektrischen Kennwerts für jede Schicht jedes Parameterwerts der Parameterwertpopulation erster Generation; als Schritt 5, die Verwendung eines genetischen Algorithmus, der eine Optimierungsbeurteilung der ermittelten elektrischen Kennwerte gegenüber einem vorbestimmten elektrischen Sollkennwert ausführt und anhand der Optimierungsbeurteilung eine weitere Parameterwertpopulation zweiter Generation bestimmt; und als Schritt 6, das Wiederholen der Schritte 3 bis 5 unter der Maßgabe der Verwendung der Parameterwerte der zweiten oder gegebenenfalls einer weiteren Generation, bis der elektrische Sollkennwert erreicht ist oder der genetische Algorithmus für die als Letzte vorbestimmte Generation abgeschlossen ist.</p> |
