发明名称 Halbleiter-Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
摘要 Ein Halbleiter-Bauelement weist ein Halbleiter-Substrat mit einer ersten Hauptfläche auf, in der eine Aussparung ausgebildet ist. Ferner weist das Halbleiter-Bauelement eine elektrische Zwischenverbindungsstruktur auf, die an einem Boden der Aussparung vorgesehen ist. In der Aussparung ist ein Halbleiterchip angeordnet. Der Halbleiterchip weist mehrere Chip-Elektroden auf, die der elektrischen Zwischenverbindungsstruktur zugewandt sind. Ferner sind mehrere elektrisch leitende Elemente in der elektrischen Zwischenverbindungsstruktur angeordnet und elektrisch mit den mehreren Chip-Elektroden verbunden.
申请公布号 DE102014103050(A1) 申请公布日期 2014.09.11
申请号 DE201410103050 申请日期 2014.03.07
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 STELTENPOHL, ANTON;BAKALSKI, WINFRIED
分类号 H01L23/50;H01L21/60;H01L25/065 主分类号 H01L23/50
代理机构 代理人
主权项
地址