三族-氮半导体奈米构造及其发光二极体

摘要

一种三族-氮半导体奈米构造包含一基板、数个奈米柱及一绝缘层。该基板具有一第一表面，该奈米柱成长在该基板之第一表面上，而该绝缘层系由旋涂式玻璃方法形成在该基板之第一表面上，且该绝缘层填入形成在该奈米柱之间，以便在该奈米柱之间形成绝缘部。该三族-氮半导体奈米构造系属高密度奈米柱，并省略该绝缘层，以提高该奈米柱的密度，因而能简化构造。本发明较佳实施例系该奈米柱之结构形成本发明之三族-氮半导体奈米发光二极体。

主权项

一种三族-氮半导体奈米构造，其包含：一基板，其具有一第一表面；数个奈米柱，其成长在该基板之第一表面上，该奈米柱利用分子束磊晶法形成在该基板之第一表面上，该奈米柱包含一p型氮化镓层、一氮化铟镓层及一n型氮化镓层；该p型氮化镓层系形成在该氮化铟镓层上，而该氮化铟镓层系形成在该n型氮化镓层上；及一绝缘层，其系由旋涂式玻璃方法形成在该基板之第一表面上；其中该绝缘层填入形成在该奈米柱之间，以便在该奈米柱之间形成绝缘部。