发明名称 |
蚀刻液再生装置及蚀刻液再生方法 |
摘要 |
本发明之课题在于利用该蚀刻液再生装置,可以高除去率从废蚀刻液除去矽化合物,废蚀刻液不须除去而将其再利用。本发明提供一种蚀刻液再生装置(10),该再生装置具备:;温度调整机构(11),系对取出之废蚀刻液之温度进行调整;雾化机构(12),系将经该温度调整机构(11)调整温度后之废蚀刻液予以雾化;析出机构(13),系回收由该雾化机构(12)所雾化之废蚀刻液,并使得废蚀刻液中之矽化合物析出;分离机构(14),系将由该析出机构(13)从废蚀刻液所析出之矽化合物加以分离,来获得再生蚀刻液 |
申请公布号 |
TWI452620 |
申请公布日期 |
2014.09.11 |
申请号 |
TW096136709 |
申请日期 |
2007.10.01 |
申请人 |
化学艺术技术股份有限公司 日本 |
发明人 |
渡部博 |
分类号 |
H01L21/306 |
主分类号 |
H01L21/306 |
代理机构 |
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代理人 |
桂齐恒 台北市中山区长安东路2段112号9楼;阎启泰 台北市中山区长安东路2段112号9楼 |
主权项 |
一种蚀刻液再生装置,其特征在于,具备:温度调整机构,系对取出之废蚀刻液之温度进行调整;雾化机构,系将经该温度调整机构调整温度后之废蚀刻液予以雾化;析出机构,系回收由该雾化机构所雾化之废蚀刻液,并使得废蚀刻液中之矽化合物析出;分离机构,系将由该析出机构从废蚀刻液所析出之矽化合物加以分离,来获得再生蚀刻液。 |
地址 |
日本 |