| 摘要 |
Nichtflüchtige NAND-Typ-Halbleiterspeichervorrichtung, mit: einem Halbleitersubstrat (10), das einen Graben (105) in demselben aufweist; einem ersten Gate-Muster (60, 70) und einem zweiten Gate-Muster (62, 68) an einer Oberfläche des Halbleitersubstrats (10) benachbart zu dem Graben (105), wobei sich ein jeweiliges derselben auf einer jeweiligen gegenüberliegenden Seite des Grabens (105) befindet; einer geteilten Source/Drain-Region in dem Halbleitersubstrat (10) zwischen dem ersten Gate-Muster (60, 70) und dem zweiten Gate-Muster (62, 68) und geteilt durch den Graben (105), wobei die geteilte Source/Drain-Region eine erste Source/Drain-Teilregion zwischen dem ersten Gate-Muster (60, 70) und dem Graben (105) und eine zweite Source/Drain-Teilregion zwischen dem zweiten Gate-Muster (62, 68) und dem Graben (105) aufweist; einer Verbindungsregion (112) in dem Halbleitersubstrat (10), die sich um den Graben (105) von der ersten Source/Drain-Teilregion zu der zweiten Source/Drain-Teilregion erstreckt, wobei die Verbindungsregion (112) und die geteilte Source/Drain-Region einen gleichen Leitfähigkeitstyp aufweisen und die Verbindungsregion (112) eine höhere Trägerkonzentration als die geteilte Source/Drain-Region aufweist; einem dritten Gate-Muster (64, 66) an einer Oberfläche des Halbleitersubstrats (10) benachbart zu dem zweiten Gate-Muster (62, 68), wobei die Oberfläche des Halbleitersubstrates (10), die sich zwischen dem zweiten Gate-Muster (62, 68) und dem dritten Gate-Muster (64, 66) erstreckt, planar ist; und einem kontinuierlichen Source/Drain-Gebiet in dem Halbleitersubstrat (10) zwischen dem zweiten Gate-Muster (62, 68) und dem dritten Gate-Muster (64, 66). |
