二极体之结构与其制法

摘要

本发明提供一种包括半导体元件(例如发光二极体(LED))之材料、方法、结构与元件，其中半导体元件包括一主动区域，此主动区域对应到III-N半导体结晶材料之非极性面或表面。于一些实施例中，主动二极体区域朝向非极性平面之III-N半导体材料多于朝向极性平面之III-N半导体材料。于另一实施例中，面对主动区域之底部区域之非极性m-平面或a-平面之氮化镓表面多于极性c-平面之氮化镓表面。

主权项

一种二极体(diode)之制作方法，包括以下步骤：形成一第一二极体区域于一基材之上，该一第一二极体区域包括具有一或多个孔洞形成于其中之一第一表面，其中该一或多个孔洞之侧壁系为一极性半导体结晶材料之非极性表面；形成一第二二极体区域相对于该第一表面；以及形成一主动区域，设置于该第一二极体区域与该第二二极体区域之间，且至少部分延伸至一或多个孔洞中。