半导体元件及其制造方法

摘要

本发明提供半导体元件，包含元件基底，具有正面和背面，对应至半导体元件的正面和背面，金属特征形成于元件基底的正面上，接合垫设置于半导体元件的背面上，并且与金属特征电性连接，以及屏蔽结构设置于元件基底的背面上，其中屏蔽结构与接合垫具有彼此不同的厚度。

主权项

一种半导体元件，包括：一元件基底，具有一正面和一背面，对应至该半导体元件的一正面和一背面；一金属特征，设置于该元件基底的该正面上；一接合垫，设置于该半导体元件的该背面上，且与该金属特征电性连接；一屏蔽结构，设置于该元件基底的该背面上，其中该屏蔽结构与该接合垫具有相对于彼此不同的厚度；一抗反射涂层，设置于该元件基底的该背面上；以及一第一缓冲层，设置于该抗反射涂层上，其中该屏蔽结构设置于该第一缓冲层上，并且该屏蔽结构不接触该元件基底。