| 摘要 |
<p>In einer Halbleitervorrichtung mit einem vertikalen Halbleiterelement (100, 200), das konfiguriert ist, einen elektrischen Strom zwischen einer oberen Elektrode (10) und einer unteren Elektrode (11) zu durchzuführen, beinhaltet eine Feldstoppschicht (2) eine Phosphor/Arsen-Schicht (2a), die mit Phosphor oder Arsen dotiert ist, und eine Protonenschicht (2b), die mit Protonen dotiert ist. Die Phosphor/Arsen-Schicht (2a) ist ausgehend von einer Rückseite eines Halbleitersubstrats hin zu einer vorbestimmten Tiefe ausgebildet. Die Protonenschicht (2b) ist tiefer als die Phosphor/Arsen-Schicht (2a). Eine Störstellenkonzentration der Protonenschicht (2b) erreicht ihren Höhepunkt innerhalb der Phosphor/Arsen-Schicht (2a) und nimmt graduell kontinuierlich bei einer Tiefe ab, die größer als die der Phosphor/Arsen-Schicht (2a) ist.</p> |
