发明名称 |
Ein Halbleiterfertigungsprozess mit dazugehörigem Apparat |
摘要 |
Ein Halbleiterfertigungsprozess, der Folgendes umfasst: Bereitstellung eines Wafers mit einer darauf geformten freiliegenden Fotolackschicht, wobei die freiliegende Fotolackschicht eine Mittelfläche und eine Randfläche des Wafers umfasst, und Auftragen von Entwickler auf den Wafer, wobei sich die Entwicklerkonzentration auf der Randfläche von der Entwicklerkonzentration auf der Mittelfläche des Wafers unterscheidet, wodurch für unterschiedliche kritische Dimensionen der freiliegenden Fotolackschicht auf der Randfläche und der Mittelfläche gesorgt wird. |
申请公布号 |
DE102009043482(B4) |
申请公布日期 |
2014.09.11 |
申请号 |
DE20091043482 |
申请日期 |
2009.09.30 |
申请人 |
NANYA TECHNOLOGY CORPORATION |
发明人 |
HUANG, PEI-LIN;WANG, YI-MING;HUANG, CHUN-YEN |
分类号 |
H01L21/312;H01L21/3105;H01L21/3213 |
主分类号 |
H01L21/312 |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
|
地址 |
|