发明名称 晶片剥离方法、晶片剥离装置以及半导体装置制造方法
摘要 提供一种晶片剥离方法、晶片剥离装置以及半导体装置制造方法。上述晶片剥离方法于剥离的初始阶段,可利用较大的剥离力剥离晶片的周围部的一部分,于滑动时,可容易地剥离而取出应剥离的晶片。于上表面贴附有晶片11的黏着片材12的正下方配设有平台16。平台16中设置有固定平台部16b与可动平台部16a。于利用可动平台部16a支撑晶片11的状态下,使晶片11的周围部的一部分自可动平台部16a露出。于露出状态下,利用凸状部50使晶片11的露出部分经由黏着片材12而顶出,与此同时或者于顶出后,对露出部31的下部的空隙19作用负压,而驱动可动平台部16a。
申请公布号 TWI452614 申请公布日期 2014.09.11
申请号 TW098137459 申请日期 2009.11.04
申请人 佳能机械股份有限公司 日本 发明人 中津显
分类号 H01L21/30 主分类号 H01L21/30
代理机构 代理人 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;萧锡清 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1
主权项 一种晶片剥离方法,其是自于上表面贴附有晶片的黏着片材剥离上述晶片的晶片剥离方法,其特征在于:于具备固定平台部与可动平台部的平台上,使应剥离的晶片与可动平台部相对应,且该晶片的周围部的至少一部分自可动平台部露出,以如上方式进行设置后;于上述露出状态下,利用上述凸状部使上述晶片的露出部分经由上述黏着片材而顶出,而于露出部的下方形成空隙;接着,对露出部下部的空隙作用负压后,驱动上述可动平台部。
地址 日本