| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件，包括半导体衬底(101，210，301，401)，其具有第一表面和第二表面。所述半导体衬底具有元件区(30，330，430)，所述元件区(30，330，430)包括IGBT区(Xi)和邻近所述IGBT区设置的二极管区(Xf)。在所述IGBT区中形成IGBT元件(100)。在所述二极管区中形成二极管元件(20)。第一导电类型的重掺杂区(40，208，340，440)位于所述元件区周围的所述第一表面侧上。第一导电类型的吸收区(22，222，322，422，522)位于所述元件区周围的所述第二表面侧上。第二导电类型的第三半导体区(523)位于所述元件区周围的所述第二表面侧上。 | ||
| 申请公布号 | CN102479788B | 申请公布日期 | 2014.09.10 |
| 申请号 | CN201110380839.9 | 申请日期 | 2011.11.25 |
| 申请人 | 株式会社电装 | 发明人 | 河野宪司;田边广光;都筑幸夫 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01)I;H01L27/04(2006.01)I;H01L29/861(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 陈松涛;王英 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：半导体衬底(101，210，301，401)，其具有第一表面和第二表面，所述半导体衬底具有元件区(30，330，430)，所述元件区(30，330，430)包括IGBT区(Xi)和邻近所述IGBT区设置的二极管区(Xf)；IGBT元件(100)，其在所述IGBT区中形成，所述IGBT元件具有第一表面侧上的发射电极(107)、第一表面侧上的栅电极(105)和第二表面侧上的集电电极(113)；二极管元件(20)，其在所述二极管区中形成，所述二极管元件具有在所述第一表面侧和所述第二表面侧中的一个上的第一导电类型的第一半导体区(204)和在所述第一表面侧和所述第二表面侧中的另一个上的第二导电类型的第二半导体区(221)；第一导电类型的重掺杂区(40，208，340，440)，其位于所述元件区周围的所述第一表面侧上；第一导电类型的吸收区(22，222，322，422，522)，其位于所述元件区周围的所述第二表面侧上；以及第二导电类型的第三半导体区(523)，其位于所述元件区周围的所述第二表面侧上，其中所述第三半导体区(523)的宽度(Wn)与少数载流子扩散长度(Lh)的比率的范围为0.5到1.5。 | ||
| 地址 | 日本爱知县 | ||