主权项 |
一种金属半导体接触的非线性传输线模型,它包括反映金属半导体接触整流相应的肖特基结、接触电阻ρ<sub>c</sub>和金属电极下的半导体薄膜材料,其特征在于:所述的金属半导体接触的非线性传输线模型用来模拟单个矩形电极上的电流、电压分布,电流沿电极长度方向在电极下半导体材料中流动,电流经由支路从半导体材料流入金属电极中,支路由所述的肖特基结和所述的接触电阻ρ<sub>c</sub>串联组成;所述的肖特基结的电流‑电压关系为:<maths num="0001" id="cmaths0001"><math><![CDATA[<mrow><mi>J</mi><mrow><mo>(</mo><msub><mi>V</mi><mi>s</mi></msub><mo>)</mo></mrow><mo>=</mo><mi>A</mi><mo>*</mo><msup><mi>T</mi><mn>2</mn></msup><mi>exp</mi><mrow><mo>(</mo><mo>-</mo><mi>βφ</mi><mo>)</mo></mrow><mo>[</mo><mi>exp</mi><mrow><mo>(</mo><mfrac><mrow><mi>β</mi><msub><mi>V</mi><mi>s</mi></msub></mrow><mi>n</mi></mfrac><mo>)</mo></mrow><mo>-</mo><mi>exp</mi><mrow><mo>(</mo><mfrac><mrow><mi>β</mi><msub><mi>V</mi><mi>s</mi></msub></mrow><msup><mi>n</mi><mo>′</mo></msup></mfrac><mo>)</mo></mrow><mo>]</mo><mo>-</mo><mo>-</mo><mo>-</mo><mrow><mo>(</mo><mn>1</mn><mo>)</mo></mrow></mrow>]]></math><img file="FDA0000519574440000011.GIF" wi="1642" he="159" /></maths>其中,n为理想因子,n’为数字因子,满足:n<sup>‑1</sup>+n′<sup>‑1</sup>=1,β=q/(k<sub>B</sub>T),A*为Richardson常数,q为单位电荷,k<sub>B</sub>为玻尔兹曼常数,T为温度,φ为势垒高度,V<sub>s</sub>为肖特基结上的电压降;ρ<sub>sk</sub>为金属电极下半导体材料的薄膜电阻率。 |