一种多晶硅层及显示基板的制备方法、显示基板

摘要

本发明实施例提供了一种多晶硅层及显示基板的制备方法、显示基板，涉及显示技术领域，可以同时综合不同薄膜晶体管对迁移率的要求，从而保证产品性能。该多晶硅层应用于每个子像素单元均包括至少2个薄膜晶体管的显示基板，至少2个薄膜晶体管中包含有至少1个第一薄膜晶体管和至少1个第二薄膜晶体管；多晶硅层的制备方法包括：在基板上通过构图工艺形成非晶硅层，非晶硅层包括非晶硅底和位于非晶硅底上的多个第一凸起结构和多个第二凸起结构；其中，第一凸起结构位于第一薄膜晶体管区域，第二凸起结构位于第二薄膜晶体管区域，且第一凸起结构的间距小于第二凸起结构的间距；对非晶硅层进行准分子激光晶化，得到多晶硅层。

主权项

一种多晶硅层的制备方法，所述多晶硅层应用于每个子像素单元均包括至少2个薄膜晶体管的显示基板，所述至少2个薄膜晶体管中包含有至少1个第一薄膜晶体管和至少1个第二薄膜晶体管；其特征在于，所述方法包括：在基板上通过构图工艺形成非晶硅层，所述非晶硅层包括非晶硅底和位于所述非晶硅底上的多个第一凸起结构和多个第二凸起结构；其中，所述第一凸起结构位于第一薄膜晶体管区域，所述第二凸起结构位于第二薄膜晶体管区域，且所述第一凸起结构的间距小于所述第二凸起结构的间距；对所述非晶硅层进行准分子激光晶化，得到所述多晶硅层。