| 发明名称 | 热氧化异种复合基板及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及热氧化异种复合基板，是在处理基板上具有单晶硅膜的异种复合基板，通过在实施超过850℃的热氧化处理前施加650℃～850℃的中间热处理，然后在超过了850℃的温度下实施热氧化处理而得到，根据本发明，能够得到热氧化后的缺陷数减少的热氧化异种复合基板。 | ||
| 申请公布号 | CN104040686A | 申请公布日期 | 2014.09.10 |
| 申请号 | CN201380005209.0 | 申请日期 | 2013.01.11 |
| 申请人 | 信越化学工业株式会社 | 发明人 | 秋山昌次;飞坂优二;永田和寿 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/324(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 李英 |
| 主权项 | 热氧化异种复合基板，是在处理基板上具有单晶硅膜的异种复合基板，通过在实施超过850℃的热氧化处理前施加650℃～850℃的中间热处理，然后在超过850℃的温度下实施热氧化处理而得到。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||