用于晶片级封装的由垫限定的接触

摘要

本发明提供了一种器件和制造工艺，其采用晶片级封装工艺来制造包括由垫限定的接触的半导体器件。在各实施方式中，采用本发明工艺的晶片级封装器件包括：基板；钝化层；顶部金属触垫；薄膜，其中形成有导通孔；再分布层结构，其构造成与顶部金属触垫接触；以及位于薄膜和再分布层结构上的电介质层。在各实施方式中，采用本发明工艺的用于制造晶片级封装器件的方法包括：处理基板；形成钝化层；沉积顶部金属触垫；形成薄膜，其中形成有导通孔；在形成于薄膜中的导通孔中形成再分布层结构；以及在薄膜和再分布层结构上形成电介质层。

主权项

一种晶片级封装器件，包括：半导体基板；钝化层，其设置在所述半导体基板上；顶部金属触垫，其设置在所述半导体基板上；薄膜，其设置在所述钝化层上；再分布层结构，其设置在所述顶部金属触垫以及所述钝化层的至少一部分上，所述再分布层结构至少部分地设置在形成于所述薄膜中的导通孔中；和电介质层，其形成在所述薄膜和所述再分布层结构上。