氮化硅干修整而没有顶部下拉

摘要

提供一种用于在衬底上形成具有硅栅极的器件的方法。氮化硅隔离层形成在所述硅栅极的侧面。利用所述氮化硅隔离层作为掩模进行离子注入以形成离子注入区。在所述隔离层和栅极之上选择性地沉积非共形层，其选择性地沉积比沉积在氮化硅隔离层的侧壁上的层较厚的层于所述栅极和所述隔离层的顶部以及于所述隔离层之间。蚀刻掉氮化硅隔离层的侧壁上的非共形层的侧壁。修整所述氮化硅隔离层。

主权项

一种用于在衬底上形成具有硅栅极的器件的方法，其包括：在所述硅栅极的侧面形成氮化硅隔离层；利用所述氮化硅隔离层作为掩模进行离子注入以形成离子注入区；在所述隔离层和栅极之上选择性地沉积非共形层，其选择性地沉积比沉积在所述氮化硅隔离层的侧壁上的层较厚的层于所述栅极和隔离层的顶部以及于隔离层之间；刻蚀掉所述氮化硅隔离层的侧壁上的所述非共形层的侧壁；以及修整所述氮化硅隔离层。