| 发明名称 | 直接转换探测器的电路装置和读取直接转换探测器的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种具有直接转换的半导体材料和在信号读取的测量电子器件(I，II)中的脉冲整形器(S)的探测器(C3，C5)电路装置以及一种用于读取在半导体材料中形成的计数脉冲的方法，其中，所述脉冲整形器(S)的一部分构造为具有较长的整形时间常数，而该脉冲整形器(S)的另一部分构造为具有较短的整形时间常数。 | ||
| 申请公布号 | CN102681002B | 申请公布日期 | 2014.09.10 |
| 申请号 | CN201210059318.8 | 申请日期 | 2012.03.08 |
| 申请人 | 西门子公司 | 发明人 | C.施罗特 |
| 分类号 | G01T1/29(2006.01)I;G01T1/17(2006.01)I;H04N5/32(2006.01)I | 主分类号 | G01T1/29(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 谢强 |
| 主权项 | 一种电离辐射探测器(C3，C5)的电路装置，具有多个辐射敏感的部分平面(T<sub>1</sub>，T<sub>2</sub>)，其中，作为辐射敏感的材料提供直接转换的半导体材料，并且每个部分平面与单独读取所述部分平面的特有的读取电子器件(Ⅰ，Ⅱ)对应，所述读取电子器件分别具有至少一个脉冲整形器(S)，其特征在于，所述脉冲整形器(S)的一部分构造为具有较长的整形时间常数，而该脉冲整形器(S)的另一部分构造为具有较短的整形时间常数，其中：设置多个在探测器的平面延伸上分布的探测器元件(D)，其中每个探测器元件(D)被构造为用于测量一条射线，并且每个探测器元件(D)被划分为至少两个辐射敏感的部分平面(T<sub>1</sub>，T<sub>2</sub>)，其中，在每个探测器元件(D)内构造至少一个具有带有较长的整形时间常数的脉冲整形器(S)的部分平面(T<sub>2</sub>)以及至少一个具有带有较短的整形时间常数的脉冲整形器(S)的部分平面(T<sub>1</sub>)。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||