发明名称 R-T-B系烧结磁体的制造方法
摘要 本发明的R-T-B系烧结磁体的制造方法包括:隔着具有开口部的平板状的保持部件,交替配置RH扩散源和R-T-B系烧结磁石体,构成叠层体的工序;将上述叠层体配置在处理容器内的工序;在上述处理容器内的压力为2.0Pa以上、50Pa以下、温度为800℃以上、950℃以下的条件下,进行RH供给扩散处理的工序(A);和在上述处理容器内的压力为150Pa以上、2kPa以下、温度为800℃以上、950℃以下的条件下,进行RH扩散处理的工序(B),并且包括将工序(A)和工序(B)交替重复2次以上的工序。
申请公布号 CN104040655A 申请公布日期 2014.09.10
申请号 CN201380004688.4 申请日期 2013.02.28
申请人 日立金属株式会社 发明人 小幡彻
分类号 H01F41/02(2006.01)I;B22F3/00(2006.01)I;B22F3/26(2006.01)I;C22C33/02(2006.01)I;C22C38/00(2006.01)I;H01F1/057(2006.01)I;H01F1/08(2006.01)I 主分类号 H01F41/02(2006.01)I
代理机构 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人 龙淳
主权项 一种R-T-B系烧结磁体的制造方法,其特征在于,包括:隔着具有开口部的平板状的保持部件,交替配置RH扩散源和R-T-B系烧结磁石体,构成叠层体的工序,其中,RH扩散源为含有80原子%以上的重稀土元素RH的金属或合金,其中,重稀土元素RH为Dy和Tb中的至少一种,R为稀土元素中的至少一种,T为过渡金属元素中的至少一种,必须含有Fe;将上述叠层体配置在处理容器内的工序;在所述处理容器内的压力为2.0Pa以上、50Pa以下、温度为800℃以上、950℃以下的条件下,进行RH供给扩散处理的工序(A);和在所述处理容器内的压力为150Pa以上、2kPa以下、温度为800℃以上、950℃以下的条件下,进行RH扩散处理的工序(B),并且包括将工序(A)和工序(B)交替重复2次以上的工序。
地址 日本东京都