提拉法晶体生长的控制方法

摘要

一种提拉法晶体生长的控制方法，通过计算机直接采样得到晶体生长的重量信号，将该重量信号根据信号处理方法，换算得出独立于生长速率的晶体直径反馈信号；将晶体直径反馈信号与晶体直径设定值比较获得信号误差，然后通过该信号误差的PID运算得到控制籽晶的机械拉速计算值；将机械拉速计算值与机械拉速设计值比较获得新的信号误差，通过该新的信号误差的PID运算来控制温度(或功率)。拉速为主控制回路，温度为次生控制回路。通过拉速和温度两个回路的共同作用，实现晶体生长的等径控制。本发明响应速度快，等径控制效果好，晶体表面更光滑，晶体生长速度高，生产效率高。该方法的使用不受晶体材料的影响，可以应用于大多数提拉法晶体生长过程中。

主权项

一种提拉法晶体生长的控制方法，其特征是：通过计算机直接采样得到晶体生长的重量信号，将该重量信号按照信号处理方法，换算得出独立于生长速率的晶体直径的反馈信号；将晶体直径反馈信号与晶体直径设定值比较，获得信号误差，然后通过该信号误差的PID运算，得到籽晶的机械拉速的计算值，由此来控制籽晶的机械提拉速度，通过拉速改变来控制晶体直径；将所述得到籽晶的机械拉速计算值与籽晶的机械拉速设计值比较，获得第二信号误差，通过该信号误差的PID运算，得到晶体生长温度的计算值，由此来控制晶体生长温度，通过所述控制籽晶的机械提拉速度以及控制晶体生长温度的共同作用，实现对晶体生长的等径控制。