一种基于极化效应的高性能AlGaN/GaN HEMT高压器件结构及制作方法

摘要

本发明公开了一种基于极化效应的高性能AlGaN/GaN HEMT高压器件结构及其制作方法，从下往上依次包括衬底、GaN缓冲层、AlN隔离层、GaN沟道层、AlGaN本征层和AlGaN掺杂层，所述AlGaN掺杂层上间隔设有源极、有机绝缘层和漏极，所述有机绝缘层上设有ITO栅电极，所述有机绝缘层与所述源极之间设有ITO栅电极，所述ITO栅电极与源极之间设有钝化层，所述有机绝缘层与漏极之间设有钝化层，所述钝化层与漏极之间淀积有LiF层，所述漏极与所述LiF层上淀积有AL金属层。本发明使用了PTFE和ITO形成的偶极子层，降低了该区域正下方2DEG的浓度，改变了栅漏区域的电场分布，提高了器件的击穿电压。

主权项

一种基于极化效应的高性能AlGaN/GaNHEMT高压器件结构，其特征在于，从下往上依次包括衬底、GaN缓冲层、AlN隔离层、GaN沟道层、AlGaN本征层和AlGaN掺杂层，所述AlGaN掺杂层上间隔设有源极、有机绝缘层和漏极，所述有机绝缘层上设有ITO栅电极，所述有机绝缘层与所述源极之间设有ITO栅电极，所述ITO栅电极与源极之间设有钝化层，所述有机绝缘层与漏极之间设有钝化层，所述钝化层与漏极之间淀积有LiF层，所述漏极与所述LiF层上淀积有AL金属层。