发明名称 一种钛基上预植入金红石相TiO<sub>2</sub>薄膜与水热合成联合制备TiO<sub>2</sub>纳米柱阵列的方法
摘要 本发明提供了一种对钛基底进行预处理,在钛基底表面预植入金红石相TiO<sub>2</sub>晶种,对钛金属基底进行预保护防止其被酸或者碱性生长液刻蚀溶解,同时为TNRA的水热生长提供晶种的方法。步骤如下:(a)钛金属基底材料表面预植入金红石相TiO<sub>2</sub>薄膜;(b)水热合成法在晶种层表面生长合成TNRA。其中在钛金属表面预植入金红石相TiO<sub>2</sub>薄膜的方法包括TiCl<sub>4</sub>溶液浸渍沉积法和高温焙烧法。在钛金属基底上预植入金红石相TiO<sub>2</sub>致密薄膜后,一方面提高了钛金属基底在水热反应过程中抗刻蚀溶解能力,另一方面为TiO<sub>2</sub>纳米柱阵列的生长提供晶种,所得的TiO<sub>2</sub>纳米柱阵列的形貌可在一定程度上由预植入的TiO<sub>2</sub>薄膜的形貌控制。
申请公布号 CN104032367A 申请公布日期 2014.09.10
申请号 CN201410214711.9 申请日期 2014.05.20
申请人 中国科学院广州能源研究所 发明人 敏;李新军;吴梁鹏;李娟
分类号 C30B7/10(2006.01)I;C30B29/16(2006.01)I;C30B29/66(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I 主分类号 C30B7/10(2006.01)I
代理机构 广州科粤专利商标代理有限公司 44001 代理人 莫瑶江
主权项 一种钛基上预植入金红石相TiO<sub>2</sub>薄膜与水热合成联合制备TiO<sub>2</sub>纳米柱阵列的方法,其特征在于步骤如下:(a)钛金属基底材料表面预植入金红石相TiO<sub>2</sub>薄膜;(b)水热合成法在晶种层表面生长合成TNRA。
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