| 发明名称 | 形成用于FO-EWLB中电源/接地平面的嵌入导电层的半导体器件和方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件具有第一导电层和与所述第一导电层相邻布置的半导体管芯。在所述第一导电层和半导体管芯上沉积密封剂。在所述密封剂、半导体管芯和第一导电层上形成绝缘层。在所述绝缘层上形成第二导电层。将所述第一导电层的第一部分电连接到V<sub>SS</sub>并形成接地平面。将所述第一导电层的第二部分电连接到V<sub>DD</sub>并形成电源平面。第一导电层、绝缘层和第二导电层构成解耦电容器。在所述绝缘层和第一导电层上形成包括第二导电层的迹线的微带线。在嵌入虚管芯、互连单元或模块化PCB单元上提供第一导电层。 | ||
| 申请公布号 | CN104037124A | 申请公布日期 | 2014.09.10 |
| 申请号 | CN201410085270.7 | 申请日期 | 2014.03.10 |
| 申请人 | 新科金朋有限公司 | 发明人 | 林耀剑;包旭升;陈康 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L23/538(2006.01)I;H01L23/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 周学斌;胡莉莉 |
| 主权项 | 一种制作半导体器件的方法，包括：提供第一导电层；与所述第一导电层相邻地布置半导体管芯；在所述第一导电层和半导体管芯上沉积密封剂；以及在所述第一导电层和半导体管芯上形成第二导电层。 | ||
| 地址 | 新加坡 | ||