| 发明名称 | 垂直型半导体器件及其制造方法和操作方法 | ||
| 摘要 | 提供了一种垂直型半导体器件及其制造方法。所述垂直型半导体器件包括：柱体结构，所述柱体结构具有导电层和数据储存材料的层叠结构，并且形成在公共源极区上，以及栅极，所述栅极被形成为包围柱体结构的数据储存材料。 | ||
| 申请公布号 | CN104037188A | 申请公布日期 | 2014.09.10 |
| 申请号 | CN201310528766.2 | 申请日期 | 2013.10.30 |
| 申请人 | 爱思开海力士有限公司 | 发明人 | 崔康植 |
| 分类号 | H01L27/24(2006.01)I;H01L45/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/24(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人 | 俞波;毋二省 |
| 主权项 | 一种垂直型半导体器件，包括：柱体结构，所述柱体结构具有导电层和数据储存材料的层叠结构，并且形成在公共源极区上；以及栅电极，所述栅电极被形成为包围所述柱体结构的所述数据储存材料。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||