发明名称 | 太阳能电池 | ||
摘要 | 公开了一种太阳能电池。该太阳能电池包括:半导体基板;导电区域,其形成在所述半导体基板处并具有与所述半导体基板的导电类型相同或不同的导电类型;钝化膜,其形成在所述半导体基板上,以覆盖所述导电区域;以及电极,其电连接到所述半导体基板和所述导电区域中的至少一个。所述钝化膜包括:第一层,其形成在所述导电区域上并包括二氧化硅;第二层,其形成在所述第一层上并包括带有负电荷的氧化物;以及第三层,其形成在所述第二层上,并具有与所述第二层的折射率不同的折射率。 | ||
申请公布号 | CN104037243A | 申请公布日期 | 2014.09.10 |
申请号 | CN201410075991.X | 申请日期 | 2014.03.04 |
申请人 | LG电子株式会社 | 发明人 | 梁斗焕;梁周弘;郑一炯;金真阿 |
分类号 | H01L31/0216(2014.01)I | 主分类号 | H01L31/0216(2014.01)I |
代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 吕俊刚;刘久亮 |
主权项 | 一种太阳能电池,该太阳能电池包括:半导体基板;导电区域,其形成在所述半导体基板处并具有与所述半导体基板的导电类型相同或不同的导电类型;钝化膜,其形成在所述半导体基板上,以覆盖所述导电区域;以及电极,其电连接到所述半导体基板和所述导电区域中的至少一个,其中,所述钝化膜包括:第一层,其形成在所述导电区域上并包括二氧化硅;第二层,其形成在所述第一层上并包括带有负电荷的氧化物;以及第三层,其形成在所述第二层上,并具有与所述第二层的折射率不同的折射率。 | ||
地址 | 韩国首尔 |